Технические подробности флагманского чипсета snapdragon 845

Не обращая внимания на то, что Snapdragon 835 в текущем году распространяется вяло, а его подлинный потенциал будет раскрыт лишь во второй половине года, прогресс не следует на месте, и Qualcomm уже деятельно трудится над преемником Snapdragon 845. Информация о нем (а заодно и о Snapdragon 440) нежданно показалась на сайте производителя, в документах, которые связаны с патентными спорами с Apple, но скоро была удалена. Более информативными были китайские источники, каковые опубликовали кое-какие технические детали чипа. По этой информации, Snapdragon 845 будет выполнен по 7-нм технологии TSMC, возьмёт 8 ядер Cortex-A75 + Cortex-A55, видеоускоритель Adreno 630, модем LTE X20 с помощью 5G, а первым смартфоном на его базе станет Samsung Galaxy S9. Удивляет информация о используемых ядрах, поскольку в Snapdragon 835 употребляются ядра Kryo 200, являющиеся собственной кастомизацией ARM-архитектуры. Кроме этого с сомнением направляться принимать информацию о первенстве Galaxy S9 – в случае, если Samsung не будет принимать участие в разработке этого чипа, у нее не будет особенного преимущества перед соперниками, соответственно, первым может стать любой А-бренд либо кроме того китайский производитель. Так или иначе, анонс состоится ближе к Январю. К тому времени очень многое может измениться.

По данным @quandt | mydrivers.com


Интересные записи:

Понравилась статья? Поделиться с друзьями: